Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 950 V / 4 A 37 W, 3-Pin TO-252

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

950V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

2mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.9V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

10nC

Gehäusegröße

TO-252

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

4A

Maximale Betriebstemperatur

150°C