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Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 8 A 60 W, 3-Pin TO-252

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPD80R600P7ATMA1

Produkt-Nr.: P-DRBHLX-DRP7GY

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
800V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
600mΩ
Durchlassspannung (Vf)
0.9V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
20nC
Gehäusegröße
TO-252
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
8A
Maximale Betriebstemperatur
150°C

Produktbeschreibung

Die Infineon 800 V CoolMOS P7 Superjunction MOSFET-Serie ist perfekt für SMPS-Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme geeignet, da sie die Marktanforderungen in Bezug auf Leistung, Benutzerfreundlichkeit und Preis-Leistungs-Verhältnis vollständig erfüllt. Er konzentriert sich hauptsächlich auf Sperrwandler-Anwendungen wie Adapter und Ladegerät, LED-Treiber, Audio-SMPS, AUX und industrielle Stromversorgung. Diese neue Produktfamilie bietet bis zu 0,6 % Effizienzverstärkung und 2 °C bis 8 °C niedrigere MOSFET-Temperatur im Vergleich zu ihrem Vorgänger sowie zu Wettbewerberteilen, die in typischen Flyback-Anwendungen getestet wurden. Es ermöglicht auch Designs mit höherer Leistungsdichte durch geringere Schaltverluste und bessere DPAK R DS(on)-Produkte. Insgesamt hilft es den Kunden, BOM-Kosten zu sparen und den Montageaufwand zu reduzieren.Einfach zu fahren und zu entwickeln Bessere Produktionsausbeute durch Reduzierung von ESD-bedingten Ausfällen Weniger Produktionsprobleme und geringere Rückgaben im Feld Leicht zu wählende, richtige Teile für die Feinabstimmung von Designs

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