Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 8 A, 3-Pin TO-220
Technische Daten
- Automobilstandard
- Nein
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 800V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 600mΩ
- Gehäusegröße
- TO-220
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 8A
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- No
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- CoolMOS P7
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 8A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 800V
Gehäusegröße = TO-220
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 600mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Normen/Zulassungen = No
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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