Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 7 A 51 W, 3-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 800V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 750mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.9V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 17nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 7A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 51W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- CoolMOS P7
Produktbeschreibung
Die neueste 800-V-CoolMOS-P7-Serie von Infineon setzt neue Maßstäbe in 800-V-Super-Abzweigtechnologien und kombiniert erstklassige Leistung mit modernster Art von Benutzerfreundlichkeit, die sich aus der über 18-jährigen bahnbrechenden Innovation der Super-Abzweigtechnologie von Infineon ergibt. Diese sind einfach zu steuern und parallel zu betreiben, was Designs mit höherer Leistungsdichte, BOM-Einsparungen und geringere Montagekosten ermöglicht. Diese werden für harte und weiche Schalt-Fly-Back-Topologien für LED-Beleuchtung, Ladegeräte und Adapter mit geringer Leistungsaufnahme, Audio, AUX-Leistung und industrielle Leistung empfohlen.Es wird mit vollständig optimiertem Portfolio geliefert Integrierter Zenerdiode-ESD-Schutz
Produktangebot
Weitere Angebote
Alle anzeigen (2)Sichere Zahlung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
Alle Angebote
| 12 Monate | 1,14 € 1,36 € inkl. MwSt.* | Bestes Angebot | Maximal 2415 verfügbar | ||
| 12 Monate | 0,50 € 0,60 € inkl. MwSt.* |
* zzgl. Versandkosten