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Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 7 A 51 W, 3-Pin TO-252

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPD80R750P7ATMA1

Produkt-Nr.: P-DRFFRM-DRSHYW

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
800V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
750mΩ
Durchlassspannung (Vf)
0.9V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
17nC
Gehäusegröße
TO-252
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
7A
Maximale Betriebstemperatur
150°C

Produktbeschreibung

Die neueste 800-V-CoolMOS-P7-Serie von Infineon setzt neue Maßstäbe in 800-V-Super-Abzweigtechnologien und kombiniert erstklassige Leistung mit modernster Art von Benutzerfreundlichkeit, die sich aus der über 18-jährigen bahnbrechenden Innovation der Super-Abzweigtechnologie von Infineon ergibt. Diese sind einfach zu steuern und parallel zu betreiben, was Designs mit höherer Leistungsdichte, BOM-Einsparungen und geringere Montagekosten ermöglicht. Diese werden für harte und weiche Schalt-Fly-Back-Topologien für LED-Beleuchtung, Ladegeräte und Adapter mit geringer Leistungsaufnahme, Audio, AUX-Leistung und industrielle Leistung empfohlen.Es wird mit vollständig optimiertem Portfolio geliefert Integrierter Zenerdiode-ESD-Schutz

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET

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