Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 4 A 32 W, 3-Pin TO-252

Name: Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 4 A 32 W, 3-Pin TO-252
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPD80R1K4P7ATMA1

Produkt-Nr.: P-DRFGXV-DR377F

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 800V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 1.4Ω
Durchlassspannung (Vf): 0.9V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 10nC
Gehäusegröße: TO-252
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 4A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 32W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: CoolMOS P7

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 4A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 800V
Gehäusegröße = TO-252
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 1.4Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 32W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 2.41mm
Automobilstandard = Nein