Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 1.9 A 18 W, 3-Pin TO-252

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

800V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

3.3Ω

Durchlassspannung (Vf)

0.9V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

5.8nC

Gehäusegröße

TO-252

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

1.9A

Maximale Betriebstemperatur

150°C