Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 26 A, 3-Pin TO-247

Die optimierten Superjunction-MOSFETs Infineon 600V CoolMO P7, die eine hohe Energieeffizienz mit Benutzerfreundlichkeit vereinen, sind der Nachfolger der Serie 600V CoolMOS P6. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste RonxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (QG) der CoolMOS Plattform der 7. Generation sorgen für ihren hohen Wirkungsgrad.MOSFET ist sowohl für harte als auch resonante Schalttopologien wie PFC und LLC geeignet Ausgezeichnete Robustheit bei harter Kommutierung der Gehäusediode in LLC-Topologie Geeignet für eine Vielzahl von Endanwendungen und Ausgangsleistungen Verfügbare Teile für Verbraucher- und industrielle Anwendungen