Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 206 A 201 W, 3-Pin TO-247
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 650V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 45mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.9V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 90nC
- Gehäusegröße
- TO-247
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 206A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 201W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- CoolMOS P7
Produktbeschreibung
Der Infineon 600 V CoolMOS TM P7 Superjunction MOSFET ist der Nachfolger der 600 V CoolMOS TM P6-Serie. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste RonxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (QG) der CoolMOS-Plattform der 7. Generation sorgen für ihren hohen Wirkungsgrad.ESD-Robustheit von ≥ 2 kV (HBM Klasse 2) Integrierter Torwiderstand RG Robuste Gehäusediode Breites Portfolio in durchkontaktierten und SMD-Gehäusen Es sind sowohl Standardteile als auch Industrieteile erhältlich
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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