Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 206 A 201 W, 3-Pin TO-247

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

45mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.9V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

90nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

TO-247

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

206A