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Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 44 A 245 W, 8-Pin HSOF

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPT60R050G7XTMA1

Produkt-Nr.: P-DRFNMP-DR3SCS

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
600V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
50mΩ
Durchlassspannung (Vf)
0.8V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
68nC
Gehäusegröße
HSOF
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
44A
Maximale Betriebstemperatur
150°C

Produktbeschreibung

Die Infineon Cool MOS TM C7 Gold Super Junction MOSFET-Serie (G7) vereint die Vorteile der verbesserten 600-V-Cool MOS TM C7 Gold-Technologie, 4-polige Kelvin-Quellfähigkeit und die verbesserten thermischen Eigenschaften des TO-Leadless (TOLL)-Gehäuses, um eine mögliche SMD-Lösung für Starkstrom-Hartschalungstopologien wie Leistungsfaktorkorrektur (PFC) bis zu 3 kW und für Schwingkreise wie High End LLC zu ermöglichen.Bietet erstklassige FOM R DS(on)xE oss und R DS(on)XQ G Ermöglicht Best-in-Class R DS(on) auf kleinstem Raum

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET

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