Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 16 A 7 W, 3-Pin SOT-223

Technische Daten

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

600mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.9V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

9nC

Gehäusegröße

SOT-223

Höhe

1.8mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

16A

Länge

6.7mm