Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 151 A, 3-Pin TO-263

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

60mΩ

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

151A

Montageart

Oberfläche

Normen/Zulassungen

No

Pinanzahl

3