Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 100 A 137 W, 5-Pin VSON

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-40°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

105mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.9V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

45nC

Gehäusegröße

VSON

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

100A

Maximale Betriebstemperatur

150°C