Infineon CoolMOS P7 SJ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 950 V / 2 A 22 W, 3-Pin TO-251
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 950V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 370mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.9V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 6nC
- Gehäusegröße
- TO-251
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 2A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 22W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- CoolMOS P7 SJ
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 2A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 950V
Gehäusegröße = TO-251
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 370mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 6nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 6.73mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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