Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 23.8 A 176 W, 3-Pin TO-263

Name: Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 23.8 A 176 W, 3-Pin TO-263
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPB60R160P6ATMA1

Produkt-Nr.: P-DRFGXR-DR377B

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 650V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 160mΩ
Durchlassspannung (Vf): 0.9V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 44nC
Gehäusegröße: TO-263
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 23.8A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 176W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: CoolMOS P6

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 23.8A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 650V
Serie = CoolMOS P6
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 160mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Durchlassspannung Vf = 0.9V
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 10.31mm
Automobilstandard = Nein