Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 30 A 89.3 W, 5-Pin ThinPAK

Das neue Cool MOS Thin PAK 5x6 von Infineon ist ein bleifreies SMD-Gehäuse, das speziell für Hochspannungs-MOSFETs entwickelt wurde. Dieses neue Gehäuse hat eine sehr kleine Abmessung von 5 x 6 mm 2 und ein sehr flaches Profil mit nur 1 mm Höhe. Diese deutlich kleinere Gehäusegröße in Kombination mit ihren niedrigen parasitären Referenzinduktivitäten kann als neue und effektive Möglichkeit zur Verringerung der Systemlösungsgröße in leistungsdichten Designs verwendet werden. Das Thin PAK 5x6-Gehäuse zeichnet sich durch eine sehr niedrige Quellinduktivität von 1,6 nH sowie eine ähnliche thermische Leistung wie DPAK aus. Das Gehäuse ermöglicht somit ein schnelleres und somit effizienteres Schalten von Leistungs-MOSFETs und ist in Bezug auf Schaltverhalten und elektromagnetische Störungen leichter zu handhaben.Extrem niedrige Verluste durch sehr geringe FOMRDSON * Qg und Eoss Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit Einfach zu verwenden/zu treiben Bleifreie Beschichtung, halogenfreie Formmasse Zugelassen für industrielle Anwendungen gemäß JEDEC