Infineon CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 16 A 95 W, 5-Pin VSON
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 600V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 160mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 31nC
- Gehäusegröße
- VSON
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 16A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 95W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 5
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- CoolMOS CFD7
Produktbeschreibung
Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste CoolMOS CFD7 ist der Nachfolger der CoolMOS CFD2-Serie und ist eine optimierte Plattform, die auf weiche Schaltanwendungen wie Phasenverschiebung Vollbrücke (ZVS) und LLC zugeschnitten ist. Die CoolMOS CFD7-Technologie erfüllt höchste Effizienz- und Zuverlässigkeitsstandards und unterstützt darüber hinaus Lösungen mit hoher Leistungsdichte. Insgesamt macht CoolMOS CFD7 resonante Schalttopologien effizienter, zuverlässiger, leichter und kühler.Ultraschnelle Gehäusediode Niedrige Gateladung
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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