Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 3.9 A 63 W, 3-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 800V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 1.4Ω
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 23nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 3.9A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 63W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- CoolMOS CE
Produktbeschreibung
Dieser Infineon 800 V Cool MOS CE MOSFET verfügt über eine Hochspannungsfähigkeit, die Sicherheit mit Leistung und Robustheit kombiniert, um stabile Designs mit höchstem Wirkungsgrad zu ermöglichen.Er ist RoHS-konform
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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