Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 7.2 A 68 W, 3-Pin TO-252

Name: Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 7.2 A 68 W, 3-Pin TO-252
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPD65R1K0CEAUMA1

Produkt-Nr.: P-DRFFRF-DRSHYN

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 650V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 1Ω
Durchlassspannung (Vf): 0.9V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 15.3nC
Gehäusegröße: TO-252
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 7.2A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 68W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: CoolMOS CE

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 7.2A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 650V
Gehäusegröße = TO-252
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 1Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 15.3nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 6.73mm
Automobilstandard = Nein