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Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 550 V / 6.6 A 5 W, 4-Pin SOT-223

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPN50R950CEATMA1

Produkt-Nr.: P-DRFGXX-DR377H

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-40°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
550V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
950mΩ
Durchlassspannung (Vf)
0.83V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
10.5nC
Gehäusegröße
SOT-223
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
6.6A
Maximale Betriebstemperatur
150°C

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 6.6A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 550V
Gehäusegröße = SOT-223
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 950mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 5W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 1.7mm
Automobilstandard = Nein

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059043441368

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