Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 550 V / 6.6 A 5 W, 4-Pin SOT-223
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 550V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 950mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.83V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 10.5nC
- Gehäusegröße
- SOT-223
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 6.6A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 5W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 4
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- CoolMOS CE
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 6.6A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 550V
Gehäusegröße = SOT-223
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 950mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 5W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 1.7mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043441368
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