Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 550 V / 4.8 A 5 W, 4-Pin SOT-223

Name: Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 550 V / 4.8 A 5 W, 4-Pin SOT-223
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPN50R1K4CEATMA1

Produkt-Nr.: P-DRFGXW-DR377G

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -40°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 550V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 1.4Ω
Durchlassspannung (Vf): 0.83V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 8.2nC
Gehäusegröße: SOT-223
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 4.8A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 5W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 4
Produkt Typ: MOSFET
Serie: CoolMOS CE

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 4.8A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 550V
Gehäusegröße = SOT-223
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 1.4Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 5W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 1.7mm
Automobilstandard = Nein