Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 550 V / 14.1 A 98 W, 3-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 550V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 380mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.85V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 24.8nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 14.1A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 98W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- CoolMOS CE
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 14.1A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 550V
Gehäusegröße = TO-252
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 380mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 98W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 2.41mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043048741
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