Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 9 A 47 W, 3-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 500V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 650mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.84V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 15nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 9A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 47W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- CoolMOS CE
Produktbeschreibung
Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. CoolMOS CE ist eine für das Preis-Leistungs-Verhältnis optimierte Plattform, die es ermöglicht, kostensensitive Anwendungen in Verbraucher- und Beleuchtungsmärkten zu erreichen, indem sie weiterhin die höchsten Effizienzstandards erfüllt. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnellen Super Junction MOSFET ohne Einbußen bei der Benutzerfreundlichkeit und bietet das beste Preis-Leistungs-Verhältnis auf dem Markt.Einfach zu verwenden/zu treiben Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit Zugelassen für Standardanwendungen
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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