Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 15 A 102 W, 5-Pin VSON
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 650V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 130mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.8V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 35nC
- Gehäusegröße
- VSON
- Höhe
- 1.1mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 15A
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 102W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 5
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- CoolMOS C7
Produktbeschreibung
Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die CoolMOS C7-Serie kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Das Produktportfolio bietet alle Vorteile von schnellen Super Junction-MOSFETs, die eine höhere Effizienz, geringere Gate-Ladung, einfache Implementierung und hervorragende Zuverlässigkeit bieten.Einfach zu verwenden/zu treiben durch Treiberquellen-Pin für bessere Leistung Steuerung des Tores Zugelassen für industrielle Anwendungen gemäß JEDEC (J-STD20 und JESD22)
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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