Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 700 V / 49 A 72 mW, 3-Pin TO-252

Die Infineon Cool MOS C7 Super Junction MOSFET-Serie ist ein revolutionärer Technologieschritt, der den weltweit niedrigsten RDS(on)/Gehäuse bietet und dank seiner geringen Schaltverluste Effizienzverbesserungen über den Volllastbereich hinweg bietet.650 V Spannung Revolutionäres Best-in-Class R DS(on)/Gehäuse Geringere Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (Eoss) Niedrigere Gate-Ladung Qg. Platzsparend durch Einsatz kleinerer Gehäuse oder Reduzierung von Teile 12 Jahre Herstellerfahrung in der Super-Junction-Technologie Verbesserte Sicherheitsmarge und geeignet für SMPS und Solar Wechselrichteranwendungen Niedrigste Leitungsverluste/Gehäuse Niedrige Schaltverluste Bessere Effizienz bei geringer Last Erhöhung der Leistungsdichte Hervorragende Cool MOS TM-Qualität