Infineon CoolMOS 8 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 600 V / 60 A, 7-Pin TO-263-7
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 600V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 70mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 20nC
- Gehäusegröße
- TO-263-7
- Höhe
- 2.35mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 60A
- Länge
- 15.1mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 7
- Produkt Typ
- Einfache MOSFETs
- Serie
- CoolMOS 8
Produktbeschreibung
Kabelkanaltyp = Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 60A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 600V
Serie = CoolMOS 8
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 70mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 20nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = ISO 128-30, RoHSmm
Automobilstandard = Nein
Produktangebot
Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET