Infineon CoolGaN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 12.5 A, 8-Pin HSOF

Das Infineon Design von Cool MOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die Cool MOS TM P6-Serie kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Die angebotenen Geräte bieten alle Vorteile eines schnellen SJ-MOSFET ohne Einbußen bei der Benutzerfreundlichkeit. Extrem niedrige Schalt- und Leitungsverluste machen Schaltanwendungen noch effizienter, kompakter, leichter und kühler.Erhöhte MOSFET-dv/dt-Robustheit Extrem niedrige Verluste durch sehr niedrige FOM Rdson * Qg und Eoss Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit Bleifreie Beschichtung halogenfreie Formmasse