Infineon BSZ12DN20NS3 G Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 11.3 A 50 W, 8-Pin PG-TSDSON-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

200V

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

6.5nC

Gehäusegröße

PG-TSDSON-8

Höhe

1.5mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

11.3A

Maximale Betriebstemperatur

150°C