Infineon BSZ097N10NS5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 40 A 69 W, 8-Pin TSDSON
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 100V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 13mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.9V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 22nC
- Gehäusegröße
- TSDSON
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 40A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 69W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- BSZ097N10NS5
Produktbeschreibung
Der OptiMOS™ 5 100V, die neueste Generation von Leistungs-MOSFETs von Infineon, wurde eigens für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikations- und Servernetzteilen entwickelt. Zusätzlich können diese Bauelemente in anderen industriellen Anwendungen wie Solar, Niederspannungsantriebe und Adapter verwendet werden. Die neuen MOSFETs der Serie OptiMOS™ 5 100V MOSFETs sind in sieben verschiedenen Gehäusen erhältlich und bieten den branchenweit niedrigsten R DS(on)Optimiert für synchrone Gleichrichtung Ideal für hohe Schaltfrequenzen Reduzierung der Ausgangskapazität um bis zu 44 % Reduzierung des R DS(on) um bis zu 44 % Vorteile: Höchste Systemeffizienz Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste Weniger Parallelschaltung erforderlich Erhöhte Leistungsdichte Niedrige Spannungsübersteuerung Anwendungsbereiche: Telekom Server Solar Niederspannungsantriebe Leichte Elektrofahrzeuge Adapter
Produktangebot
Weitere Angebote
Alle anzeigen (2)Sichere Zahlung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043576152
Alle Angebote
| 12 Monate | 1,26 € 1,50 € inkl. MwSt.* | Bestes Angebot | Maximal 3780 verfügbar | ||
| 12 Monate | 0,56 € 0,67 € inkl. MwSt.* |
* zzgl. Versandkosten