Infineon BSZ Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Doppelt 20 V / 5.1 A, 8-Pin TSDSON

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Channel-Modus

Doppelt

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

20V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

15mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.7V

Gehäusegröße

TSDSON

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

5.1A

Montageart

Oberfläche

Normen/Zulassungen

No