Infineon BSZ Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 212 A 81 W, 8-Pin PQFN

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

P

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

3.5mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

80nC

Gehäusegröße

PQFN

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

212A

Maximale Betriebstemperatur

175°C