Infineon BSS138I Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 60 V / 230 mA 0.36 W, 3-Pin SOT-23
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Entleerung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 60V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 6Ω
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 1nC
- Gehäusegröße
- SOT-23
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 230mA
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 0.36W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- BSS138I
Produktbeschreibung
Die Infineon BSS138I ist ein kleines Signal, kleine Leistungs-N- und P-Kanal-MOSFETs bieten eine Vielzahl von VGS(th)-Pegeln und RDS(on)-Werten sowie mehrere Spannungsklassen. Dieser MOSFET verfügt über Anreicherungs- und Abarmungsmodus-Optionen.Platz auf der Leiterplatte und Kosteneinsparungen Torantriebsflexibilität Geringere Designkomplexität Umweltfreundlich Hoher Gesamtwirkungsgrad
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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