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Infineon BSP135I Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 600 V / 120 mA 1.8 W, 4-Pin SOT-223

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: BSP135IXTSA1

Produkt-Nr.: P-DP84FT-DR4BPY

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Entleerung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
600V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
60Ω
Durchlassspannung (Vf)
1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
3.7nC
Gehäusegröße
SOT-223
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
120mA
Maximale Betriebstemperatur
150°C

Produktbeschreibung

Die Infineon BSP135I ist ein kleines Signal, kleine Leistungs-N- und P-Kanal-MOSFETs bieten eine Vielzahl von VGS(th)-Pegeln und RDS(on)-Werten sowie mehrere Spannungsklassen. Dieser MOSFET verfügt über Anreicherungs- und Abarmungsmodus-Optionen.Platz auf der Leiterplatte und Kosteneinsparungen Torantriebsflexibilität Geringere Designkomplexität Umweltfreundlich Hoher Gesamtwirkungsgrad

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
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