Infineon BSP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 40 V / 0.12 A 81 W, 3-Pin SOT-223
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Entleerung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 40V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 1.4mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 80nC
- Gehäusegröße
- SOT-223
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 0.12A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 81W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- BSP
Produktbeschreibung
MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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