Infineon BSP Typ N-Kanal MOSFET Entleerung 600 V / 0.12 A, 4-Pin PG-SOT223

Technische Daten

Automobilstandard

AEC-Q101

Channel-Modus

Entleerung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

600V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

60mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gehäusegröße

PG-SOT223

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

0.12A

Normen/Zulassungen

No

Pinanzahl

4