Infineon BSO080P03S H OptiMOSTM-P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / -14.9 A 2.5 W, 8-Pin PG-DSO-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

-30V

Durchlassspannung (Vf)

-0.82V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

-102nC

Gehäusegröße

PG-DSO-8

Höhe

1.5mm

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

-14.9A

Maximale Betriebstemperatur

150°C