Infineon BSG0810NDI Typ N-Kanal 2 MOSFET 25 V / 50 A 6.25 W, 8-Pin TISON-8
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 2
- Automobilstandard
- Nein
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 25V
- Durchlassspannung (Vf)
- 1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 8.4nC
- Gehäusegröße
- TISON-8
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 50A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 6.25W
- Normen/Zulassungen
- RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- BSG0810NDI
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 50A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 25V
Gehäusegröße = TISON-8
Pinanzahl = 8
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 8.4nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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