Infineon BSD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / -0.39 A 81 W, 6-Pin US

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.4mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

80nC

Gehäusegröße

US

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

-0.39A

Maximale Betriebstemperatur

175°C