Infineon BSD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.4 A 0.5 W, 6-Pin US

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

160mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.8V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

0.6nC

Gehäusegröße

US

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

1.4A

Maximale Betriebstemperatur

175°C