Infineon BSC500N20NS3 G Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 24 A 96 W, 8-Pin TDSON
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 200V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 50mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.9V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 15nC
- Gehäusegröße
- TDSON
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 24A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 96W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- BSC500N20NS3 G
Produktbeschreibung
Die Produkte der Serie 200V OptiMOS™ von Infineon enthalten führende Technologien und sind perfekt geeignet für die synchrone Gleichrichtung in 48-V-Systemen, DC/DC-Wandler, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) und Wechselrichter für DC-MotorantriebeBranchenweit niedrigster R DS(on) Niedrigste Q g und Q gd Halogenfrei Vorteile: Höchster Wirkungsgrad Höchste Leistungsdichte Geringster Platzbedarf auf der Platine Minimale Parallelschaltung erforderlich Verbesserung der Systemkosten Umweltfreundlich Einfach zu integrierende Produkte Anwendungsbereiche: Synchrone Gleichrichtung für AC/DC-Schaltnetzteile Motorsteuerung für 48–110-V-Systeme Isolierte DC/DC-Wandler Beleuchtung für Netze mit 110 V ac HID-Lampen Audioverstärker der Klasse D Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) Netzteile für LED-Beleuchtung
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043204932
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