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Infineon BSC500N20NS3 G Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 24 A 96 W, 8-Pin TDSON

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: BSC500N20NS3GATMA1

Produkt-Nr.: P-DP7BN6-DRWPV4

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
200V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
50mΩ
Durchlassspannung (Vf)
0.9V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
15nC
Gehäusegröße
TDSON
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
24A
Maximale Betriebstemperatur
150°C

Produktbeschreibung

Die Produkte der Serie 200V OptiMOS™ von Infineon enthalten führende Technologien und sind perfekt geeignet für die synchrone Gleichrichtung in 48-V-Systemen, DC/DC-Wandler, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) und Wechselrichter für DC-MotorantriebeBranchenweit niedrigster R DS(on) Niedrigste Q g und Q gd Halogenfrei Vorteile: Höchster Wirkungsgrad Höchste Leistungsdichte Geringster Platzbedarf auf der Platine Minimale Parallelschaltung erforderlich Verbesserung der Systemkosten Umweltfreundlich Einfach zu integrierende Produkte Anwendungsbereiche: Synchrone Gleichrichtung für AC/DC-Schaltnetzteile Motorsteuerung für 48–110-V-Systeme Isolierte DC/DC-Wandler Beleuchtung für Netze mit 110 V ac HID-Lampen Audioverstärker der Klasse D Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) Netzteile für LED-Beleuchtung

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059043204932

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