Infineon BSC040N08NS5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 100 A 104 W, 8-Pin TDSON

Name: Infineon BSC040N08NS5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 100 A 104 W, 8-Pin TDSON
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: BSC040N08NS5ATMA1

Produkt-Nr.: P-DP73KH-DRM2MD

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 80V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 5.7mΩ
Durchlassspannung (Vf): 0.88V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 43nC
Gehäusegröße: TDSON
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 100A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 104W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: BSC040N08NS5

Produktbeschreibung

Der Infineon BSC040N08NS5 OptiMOS 5 80 V Leistungs-MOSFET, speziell entwickelt für synchrone Gleichrichtung für Telekommunikations- und Servernetzteile. Darüber hinaus kann das Gerät auch in anderen industriellen Anwendungen wie Solar-, Niederspannungsantrieben und Adaptern eingesetzt werden.Höchste Systemeffizienz Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste Weniger Parallelschaltung erforderlich Erhöhte Leistungsdichte Niederspannungs-/Überschwingen

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