Infineon BSC035N10NS5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 100 A 156 W, 8-Pin TDSON

Name: Infineon BSC035N10NS5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 100 A 156 W, 8-Pin TDSON
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: BSC035N10NS5ATMA1

Produkt-Nr.: P-DP73KS-DRM2MN

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 100V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 3.5mΩ
Durchlassspannung (Vf): 0.82V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 70nC
Gehäusegröße: TDSON
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 100A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 156W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: BSC035N10NS5

Produktbeschreibung

Der Infineon BSC035N10NS5 ist der 100-V-OptiMOS 5-Leistungs-MOSFET, der für synchrone Gleichrichtung optimiert ist und sich ideal für hohe Schaltfrequenzen eignet.Höchste Systemeffizienz Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste Weniger Parallelschaltung erforderlich Erhöhte Leistungsdichte

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