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Infineon BSC030N08NS5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 100 A 139 W, 8-Pin TDSON

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: BSC030N08NS5ATMA1

Produkt-Nr.: P-DP73KN-DRM2MK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
80V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
3mΩ
Durchlassspannung (Vf)
0.8V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
61nC
Gehäusegröße
TDSON
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
100A
Maximale Betriebstemperatur
150°C

Produktbeschreibung

Der Infineon BSC030N08NS5 ist ein OptiMOS 5 80-V-Leistungs-MOSFET, der speziell für die synchrone Gleichrichtung für Telekommunikations- und Servernetzteile entwickelt wurde. Darüber hinaus kann das Gerät auch in anderen industriellen Anwendungen wie Solar-, Niederspannungsantrieben und Adaptern eingesetzt werden.Optimiert für synchrone Gleichrichtung Ideal für hohe Schaltfrequenzen Reduzierung der Ausgangskapazität um bis zu 44 %

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059043065106

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