Infineon BSC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 42 A, 8-Pin TDSON

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

15.5mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

29nC

Gehäusegröße

TDSON

Höhe

1.1mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

42A

Länge

6.35mm