Infineon AUIRF Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 13 A 110 W, 3-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 150V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 295mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- -1.6V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 66nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Kabelkanaltyp
- Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 13A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 110W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- AUIRF
Produktbeschreibung
Der Infineon-HEXFET-Leistungs-MOSFET mit einem P-Kanal in einem D-Pack-Gehäuse ermöglicht wiederholte Lawinen bis zu Tjmax. Er hat eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und ist bleifrei.Es ist RoHS-konform und AEC-zertifiziert Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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