Infineon AUIRF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 545 A 340 W, 15-Pin DirectFET

Name: Infineon AUIRF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 545 A 340 W, 15-Pin DirectFET
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: AUIRF8739L2TR

Produkt-Nr.: P-DRGDZ6-DR2DGW

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 40V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 0.6mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 375nC
Gehäusegröße: DirectFET
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 545A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 340W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 15
Produkt Typ: MOSFET
Serie: AUIRF

Produktbeschreibung

Der Infineon-HEXFET-Leistungs-MOSFET mit einem N-Kanal in einem DirectFET-L8-Gehäuse ermöglicht wiederholte Lawinen bis zu Tjmax. Er hat eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und ist bleifrei.Es ist RoHS-konform und AEC-zertifiziert Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C Er verfügt über eine zweiseitige Kühlung

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