Infineon 800V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 6 A 45 W, 3-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 800V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 900mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.9V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 15nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 6A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 45W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- 800V CoolMOS P7
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 6A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 800V
Gehäusegröße = TO-252
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 900mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 15nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = No
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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