Infineon 800V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 3 A 24 W, 3-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 800V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 2Ω
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.9V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 9nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 3A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 24W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- 800V CoolMOS P7
Produktbeschreibung
Die Infineon 800 V Cool MOS TM P7 Super Junction MOSFET-Serie ist perfekt für SMPS-Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme geeignet, da sie die Marktanforderungen in Bezug auf Leistung, Benutzerfreundlichkeit und Preis-Leistungs-Verhältnis vollständig erfüllt. Er konzentriert sich hauptsächlich auf Fly-Back-Anwendungen wie Adapter und Ladegerät, LED-Treiber, Audio-SMPS, AUX und industrielle Stromversorgung. Diese neue Produktfamilie bietet eine bis zu 0,6 % Effizienzverstärkung und eine um 2 °C bis 8 °C niedrigere MOSFET-Temperatur im Vergleich zu ihrem Vorgänger sowie zu Wettbewerberteilen, die in typischen Fly-Back-Anwendungen getestet wurden. Es ermöglicht auch Designs mit höherer Leistungsdichte durch geringere Schaltverluste und bessere DPAK RDS(on)-Produkte.Integrierter Zenerdiode ESD-Schutz bis Klasse 2 (HBM) Erstklassige Qualität und Zuverlässigkeit Vollständig optimiertes Portfolio
Produktangebot
Weitere Angebote
Alle anzeigen (2)Sichere Zahlung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
Alle Angebote
| 12 Monate | 0,74 € 0,88 € inkl. MwSt.* | Bestes Angebot | Maximal 2420 verfügbar | ||
| 12 Monate | 0,27 € 0,32 € inkl. MwSt.* |
* zzgl. Versandkosten