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Infineon 700V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 8.5 A 10.5 W, 3-Pin TO-252

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPD70R600P7SAUMA1

Produkt-Nr.: P-DRB4Y5-DR3SBF

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
700V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
600mΩ
Durchlassspannung (Vf)
0.9V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
10.5nC
Gehäusegröße
TO-252
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
8.5A
Maximale Betriebstemperatur
150°C

Produktbeschreibung

Die Infineon 700V Cool MOS TM P7 Super Junction MOSFET-Serie ist für den SMPS-Markt mit geringer Leistungsaufnahme wie z. B. Mobiltelefon-Ladegeräte oder Notebook-Adapter konzipiert und bietet im Vergleich zu heute verwendeten Super-Junction-Technologien grundlegende Leistungsverbesserungen. Die Technologie erfüllt höchste Effizienzstandards und unterstützt eine hohe Leistungsdichte, sodass Kunden in sehr schlanke Designs gehen können. Die neueste CoolMOS\P7 ist eine optimierte Plattform, die speziell auf kostensensible Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten istExtrem niedrige Verluste durch sehr niedrige FOMRDS(on) * Qg und RDS(on) * Eoss Ausgezeichnetes thermisches Verhalten Integrierte ESD-Schutzdiode Geringe Schaltverluste (Eoss)

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET

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