Infineon 700V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 6 A 30.5 W, 3-Pin TO-252

Name: Infineon 700V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 6 A 30.5 W, 3-Pin TO-252
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPD70R900P7SAUMA1

Produkt-Nr.: P-DRB6WM-DRSHTN

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -40°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 700V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 900mΩ
Durchlassspannung (Vf): 0.9V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 6.8nC
Gehäusegröße: TO-252
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 6A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 30.5W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: 700V CoolMOS P7

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 6A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 700V
Gehäusegröße = TO-252
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 900mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 6.8nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 6.65mm
Automobilstandard = Nein